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电子电气 471

姓名:柳**

性别:男

国籍:韩国

联系电话:0631-5651499

E-Mail:xinhanrc@163.com

教育经历

弗吉尼亚理工学院暨州立大学 电子材料工程电子零件专业 博士学位
 

研究方向

弗吉尼亚理工大学 (1999-07-03)
韩国电子通信研究院 (2000-12-18)
利用MEMS工艺的传感器元件
Organic发光元件
强介电非易失性存储器
薄膜太阳能电池元件
相变非易失性存储器
 

主要成果

专利:
1. 具有谐振结构的太阳能电池及其制造方法
2. 多位相变存储器及其操作方法
3. 包含绝缘体纳米点的相变存储器件及其制造方法
4. 利用锑和硒金属合金的相变型存储元件及其制造方法
5. 多位相变存储器元件及其驱动方法
6. 相变存储器元件及其制造方法
7. 相变存储器件的制造方法
8. 具有相变层垫片的相变存储器元件及其制造方法
9. 一种纳米间隙电极装置的制造方法
10. 具有相变层垫片的相变存储器元件及其制造方法
 
论文:
1. 电子器件用少层富集黑磷纳米片的喷墨印刷
2. 高原子密度SiO2缓冲层增强了Si/TiO2的光电化学性能
3. 原子层沉积工艺提高Al2O3/TiO2多层OLED封装膜的透光率
4. ZTO薄膜性能的退火温度依赖性及其在喷墨打印薄膜晶体管上的应用
5. 在Al2O3/Si异质结中插入超薄SiO2缓冲层改善界面和电学性能
6. 气相生长MAPbI(3-x)Cl(x)原子层沉积TiO2用于平面钙钛矿太阳能电池
7. 通过改变结构分析Si大SBD上AlGaN/GaN的电特性
8. 利用OLED的Barrier和Encapsulation的原子层沉积技术工程化的Al ¬ 2O3/TiO2/Al2O3多层膜
9. 倒置有机太阳能电池中经ALD处理的掺杂镓的TiO2阻孔层的表征