申炯淳教授发表了大量关于植入物轮廓模型、迁移率模型、纳米尺度MOSFET结构分析、热载流子降解、阿尔法粒子诱导的软误差、MRAM和磁逻辑的期刊文章。
论文：
《一种MOS器件反射层电子迁移度的解析模型》、《LDD N-MOSFET中热-载体劣化的万能曲线研究》、《考虑空穴和网格温度的空穴移动度新模型》、《阿尔法粒子对电荷收集量的统一模型》、《DRAM软错误率模拟器》等
申请专利：
热载波抑制亚微米MISFET设备
制造具有无凹式栅的轻掺杂排水结构的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
一种MOS晶体管制造方法
一种具有接收门的半导体装置的制造方法
获奖情况：半导体研究公司(SRC) 优秀技术奖等