新材料工学 576-新韩网

新材料工学 576

姓名：崔**

性别：男

国籍：韩国

联系电话：0631-5651499

E-Mail：xinhanrc@163.com

教育经历

首尔大学材料工程系工学学士
首尔大学材料工程系工学博士

研究方向

薄膜工程 – 原子层沉积法（ALD）、物理气相沉积法（PVD）、化学气相沉积法（CVD）工程研究及薄膜分析
存储器元件 – 相变存储器 (PRAM)、电阻变化存储器 (RRAM)、选择元件、交叉阵列研究
神经形态元件 – 基于Memristor的神经形态元件研究
能源 - 利用粉末ALD研究二次电池用电极、热电材料

主要成果

部分论文
低功耗自校正记忆人工神经网络的近物联网传感器计算
纯热原子层沉积法制备富al - AlGaN薄膜
银离子在HfOx薄膜中的分布对阈值开关的影响
高速和低能量氮化物忆阻器
忆阻记忆单元的三层隧道选择器
Pt分散SiO2纳米金属电阻开关的电学性能和可扩展性

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