新材料工程（027）-新韩网

新材料工程（027）

姓名：高**

性别：男

国籍：韩国

联系电话：0631-5651499

E-Mail：xinhanrc@163.com

教育经历

首尔大学金属工程专业学士
首尔大学金属工程专业硕士
美国斯坦福大学材料科学与工程专业博士

研究方向

化合物半导体
半导体元件技术开发

主要成果

论文：国内外学术期刊发表《透过透射电子显微镜观察纳米图案Si上的GaAs膜和InP膜的多孪晶缺陷》《准晶相变存储器》《干氧化时掺杂剂浓度对原位掺磷外延硅膜的微观结构和应变状态的影响》《Si:X(X=B、Al、Ga)的结构、接合、弹性特性：理论研究》等论文230余篇。
著书：《陶瓷实验》《陶瓷实验-3.5透射电子显微镜(TEM)的理解与分析》
研究课题：1996年至今已经或正在进行260余项委托课题的研究
知识产权：拥有“光电元件及异议制造方法”“以碳为基础的太阳能电池制作的石墨烯基板表面特性改善方法”“带销结构的半导体元件及其制造方法”等知识产权及专利近百项。
获奖：2018年教育科技部长官奖（对积极参与半导体领域的研究开发，为半导体产业发展做出的贡献进行的嘉奖）

延世大学

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